IRF7854TRPBF vs IRF7855TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7854TRPBF et IRF7855TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRF7854TRPBF IRF7855TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 12A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 9.4mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4.9V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 39 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 1560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number IRF7854 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 25 V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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