IRF7854TRPBF vs IRF7855TRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7854TRPBF et IRF7855TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
Description
MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
9.4mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4.9V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
39 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1560 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Active
-
Base Product Number
IRF7854
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.4mOhm @ 10A, 10V
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
