IRF7406TRPBF vs IRF7495TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7406TRPBF et IRF7495TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Demande de devis Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRF7406TRPBF IRF7495TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.8A (Ta) 7.3A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 45mOhm @ 2.8A, 10V 22mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 1530 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare Demande de devis