IRF7406TRPBF vs IRF7404TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7406TRPBF et IRF7404TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRF7406TRPBF IRF7404TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.8A (Ta) 6.7A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 45mOhm @ 2.8A, 10V 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 50 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 1500 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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