IRF7404TRPBF vs IRF7406TRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF7406TRPBF et IRF7404TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Last Time Buy
Active
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.8A (Ta)
6.7A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
2.7V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
45mOhm @ 2.8A, 10V
40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
700mV @ 250µA (Min)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
59 nC @ 10 V
50 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1100 pF @ 25 V
1500 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
