IRF7404TRPBF vs IRF7493TRPBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRF7493TRPBF et IRF7404TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
6.7A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
2.7V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
15mOhm @ 5.6A, 10V
40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
50 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1510 pF @ 25 V
1500 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Tc)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
