IRF7342TRPBF vs IRF7343PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF7342TRPBF et IRF7343PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF7342TRPBF

+Nomenclature

2396 PCS | Technologie Infineon
IRF7343PBF

+Nomenclature

2688 PCS | Technologie Infineon
Package SOP-8 SOIC-8
Description MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 55V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.4A 4.7A, 3.4A
RdsOn(Max)@IdVgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 38nC @ 10V 36nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 690pF @ 25V 740pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF7342TRPBF IRF7343PBF

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