IRF7341TRPBF vs IRF7389

Cette comparaison détaillée des composants IRF7341TRPBF et IRF7389 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRF7341TRPBF IRF7389
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 30V
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36nC @ 10V 33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 740pF @ 25V 650pF @ 25V
Power - Max 2W 2.5W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.7A -
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