IRF640NSTRLPBF vs IRF640
Cette comparaison détaillée des composants IRF640 et IRF640NSTRLPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-220-3
TO-263-3
Description
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
HEXFET POWER MOSFET
Series
MESH OVERLAY™
HEXFET®
ProductStatus
Obsolete
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
200 V
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
18A (Tc)
18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
180mOhm @ 9A, 10V
150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
72 nC @ 10 V
67 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1560 pF @ 25 V
1160 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
125W (Tc)
150W (Tc)
OperatingTemperature
150°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Surface Mount
