IRF5852TRPBF vs IRF5850
Cette comparaison détaillée des composants IRF5852TRPBF et IRF5850 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Description
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
-
ProductStatus
Obsolete
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.7A
2.2A
RdsOn(Max)@IdVgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
1.25V @ 250µA
1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
6nC @ 4.5V
5.4nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
400pF @ 15V
320pF @ 15V
Power-Max
960mW
960mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
