IRF5803TRPBF vs IRF5810
Cette comparaison détaillée des composants IRF5803TRPBF et IRF5810 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Description
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
2.9A
RdsOn(Max)@IdVgs
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90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
9.6nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
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650pF @ 16V
Power-Max
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960mW
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
IRF5803
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 3.4A, 10V
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Vgs (Max)
±20V
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Power Dissipation (Max)
2W (Ta)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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