IRF4905STRRPBF vs IRF4905SPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRF4905SPBF et IRF4905STRRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRF4905SPBF

+Nomenclature

3886 PCS | Technologie Infineon
IRF4905STRRPBF

+Nomenclature

6200 PCS | Technologie Infineon
Package TO-252 TO-263-3
Description MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Obsolete Not For New Designs
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55 V 55 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 42A (Tc) 42A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 20mOhm @ 42A, 10V 20mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3500 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 170W (Tc) 170W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRF4905SPBF IRF4905STRRPBF

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