IRF4905PBF vs IRF4905STRRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRF4905STRRPBF et IRF4905PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-263-3
TO-220
Description
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Not For New Designs
Active
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55 V
55 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
42A (Tc)
74A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
20mOhm @ 42A, 10V
20mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
180 nC @ 10 V
180 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
3500 pF @ 25 V
3400 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
170W (Tc)
200W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Through Hole
