IR2301STRPBF vs IR2308STRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IR2301STRPBF et IR2308STRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IR2301STRPBF IR2308STRPBF
Part Status Active Active
Driven Configuration High-Side or Low-Side Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 5V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.9V 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output(Source Sink) 200mA, 350mA 200mA, 350mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 130ns, 50ns 150ns, 50ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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