IR2301STRPBF vs IR2302STRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IR2302STRPBF et IR2301STRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR2302STRPBF

+Nomenclature

1579 PCS | Technologie Infineon
IR2301STRPBF

+Nomenclature

6145 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC 8N SOIC-8
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Half-Bridge High-Side or Low-Side
ChannelType Synchronous Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 5V ~ 20V 5V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.9V 0.8V, 2.9V
Current-PeakOutput(SourceSink) 200mA, 350mA 200mA, 350mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 130ns, 50ns 130ns, 50ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IR2302STRPBF IR2301STRPBF

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