IR21271STRPBF vs IR2125STR Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IR21271STRPBF et IR2125STR vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR21271STRPBF

+Nomenclature

7301 PCS | Technologie Infineon
IR2125STR

+Nomenclature

9129 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC 8N SOIC-W-16
Description IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration High-Side or Low-Side High-Side
Channel Type Single Single
Number of Drivers 1 1
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 9V ~ 20V 0V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA 1.6A, 3.3A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 500 V
Rise / Fall Time(Typ) 80ns, 40ns 43ns, 26ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IR21271STRPBF IR2125STR

+Nomenclature Demande de devis