IR2127STRPBF vs IR2125S

Cette comparaison détaillée des composants IR2125S et IR2127STRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR2125S

+Nomenclature

4980 PCS | Technologie Infineon
IR2127STRPBF

+Nomenclature

5968 PCS | Redresseur international
Package SOIC-8
Description IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC IR2127S - GATE DRIVER
Part Status Obsolete -
DigiKey Programmable Not Verified -
Driven Configuration High-Side -
Channel Type Single -
Number of Drivers 1 -
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) -
Voltage - Supply 0V ~ 18V -
Logic Voltage - VIL, VIH 0.8V, 2.2V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 1.6A, 3.3A -
Input Type Non-Inverting -
Rise / Fall Time (Typ) 43ns, 26ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Base Product Number IR2125 -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 500 V -
ProductStatus - Active
DrivenConfiguration - High-Side or Low-Side
ChannelType - Single
NumberofDrivers - 1
GateType - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 12V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 3V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 250mA, 500mA
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 600 V
Rise/FallTime(Typ) - 80ns, 40ns
OperatingTemperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Modèle de comparaison : IR2125S IR2127STRPBF

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