IR2112S vs IR2113SPBF

Cette comparaison détaillée des composants IR2112S et IR2113SPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IR2112S IR2113SPBF
Part Status Obsolete Active
Base Product Number IR2112 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Driven Configuration High-Side, Low-Side Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 250mA, 500mA -
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tube -
Logic Voltage - VILVIH - 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) - 2A, 2A
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) - 25ns, 17ns