IR2101S vs IR2101SPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IR2101S et IR2101SPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR2101S

+Nomenclature

7072 PCS | Technologie Infineon
IR2101SPBF

+Nomenclature

7378 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC 8N
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Obsolete Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 3V
Current - Peak Output(Source Sink) - 210mA, 360mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) - 100ns, 50ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number IR2101 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Logic Voltage - VIL, VIH 0.8V, 3V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 210mA, 360mA -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time (Typ) 100ns, 50ns -
Packaging Tube -
Modèle de comparaison : IR2101S IR2101SPBF

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