IR2101PBF vs IR2106PBF

Cette comparaison détaillée des composants IR2101PBF et IR2106PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IR2101PBF

+Nomenclature

5311 PCS | Technologie Infineon
IR2106PBF

+Nomenclature

7965 PCS | Technologie Infineon
Package PDIP-8 PDIP-8
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
ProductStatus Active Last Time Buy
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.9V
Current-PeakOutput(SourceSink) 210mA, 360mA 200mA, 350mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 100ns, 50ns 150ns, 50ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IR2101PBF IR2106PBF

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