FDS6990A vs FDS6990AS
Cette comparaison détaillée des composants FDS6990AS et FDS6990A vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Description
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Series
PowerTrench®, SyncFET™
PowerTrench®
Part Status
Obsolete
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.5A
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 7.5A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 15V
-
Power - Max
900mW
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Base Product Number
FDS6990
-
Supplier
-
onsemi
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
7.5A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
18mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
17nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1235pF @ 15V
Power-Max
-
900mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
