FDS6982AS vs FDS6990AS
Cette comparaison détaillée des composants FDS6982AS et FDS6990AS vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOIC-8
Description
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Series
PowerTrench®, SyncFET™
PowerTrench®, SyncFET™
Part Status
-
Obsolete
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
-
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
14nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
550pF @ 15V
Power - Max
-
900mW
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
-
Surface Mount
Base Product Number
-
FDS6990
ProductStatus
Obsolete
-
FETType
2 N-Channel (Dual)
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.3A, 8.6A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
28mOhm @ 6.3A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
15nC @ 10V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
610pF @ 10V
-
Power-Max
900mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
