FDS6930B vs FDS6900AS-G
Cette comparaison détaillée des composants FDS6930B et FDS6900AS-G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Supplier
onsemi,Rochester Electronics, LLC
Flip Electronics,onsemi
Series
PowerTrench®
PowerTrench®, SyncFET™
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.5A
6.9A, 8.2A
RdsOn(Max)@IdVgs
38mOhm @ 5.5A, 10V
27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA, 3V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
3.8nC @ 5V
15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
412pF @ 15V
600pF @ 15V
Power-Max
900mW
900mW (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
