FDS6912A vs FDS6900AS-G

Cette comparaison détaillée des composants FDS6912A et FDS6900AS-G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FDS6912A

+Nomenclature

2230 PCS | Semi - conducteurs
FDS6900AS-G

+Nomenclature

6507 PCS | Semi - conducteurs
Package SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Description MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Supplier - Flip Electronics,onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6A 6.9A, 8.2A
RdsOn(Max)@IdVgs 28mOhm @ 6A, 10V 27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 8.1nC @ 5V 15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 575pF @ 15V 600pF @ 15V
Power-Max 900mW 900mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : FDS6912A FDS6900AS-G

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