FDS6675BZ vs FDS6680A
Cette comparaison détaillée des composants FDS6680A et FDS6675BZ vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOIC-8
SOIC-8
Description
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
12.5A (Ta)
11A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
9.5mOhm @ 12.5A, 10V
13mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
23 nC @ 5 V
62 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1620 pF @ 15 V
2470 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
