FDMS86520 vs FDMS86200

Cette comparaison détaillée des composants FDMS86520 et FDMS86200 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
FDMS86520

+Nomenclature

6982 PCS | Semi - conducteurs
FDMS86200

+Nomenclature

2248 PCS | Semi - conducteurs
Package TDFN-8 TDFN-8
Description MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V 150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 14A (Ta), 42A (Tc) 9.6A (Ta), 35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 8V, 10V 6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 7.4mOhm @ 14A, 10V 18mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 40 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2850 pF @ 30 V 2715 pF @ 75 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : FDMS86520 FDMS86200

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