FDMS86163P vs FDMS86181
Cette comparaison détaillée des composants FDMS86163P et FDMS86181 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
TDFN-8
TDFN-8
Description
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
7.9A (Ta), 50A (Tc)
44A (Ta), 124A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
6V, 10V
6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
22mOhm @ 7.9A, 10V
4.2mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
59 nC @ 10 V
59 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±25V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4085 pF @ 50 V
4125 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
