ECH8668-TL-H vs ECH8652-TL-H

Cette comparaison détaillée des composants ECH8668-TL-H et ECH8652-TL-H vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification ECH8668-TL-H ECH8652-TL-H
Supplier onsemi onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 12V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 7.5A, 5A 6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 17mOhm @ 4A, 4.5V 28mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 10.8nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1060pF @ 10V 1000pF @ 6V
Power - Max 1.5W 1.5W
Operating Temperature 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount