ECH8668-TL-H vs ECH8619-TL-E

Cette comparaison détaillée des composants ECH8668-TL-H et ECH8619-TL-E vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification ECH8668-TL-H ECH8619-TL-E
Supplier onsemi onsemi
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type N and P-Channel N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 7.5A, 5A 3A, 2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 17mOhm @ 4A, 4.5V 93mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 10.8nC @ 4.5V 12.8nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1060pF @ 10V 560pF @ 20V
Power - Max 1.5W 1.5W
Operating Temperature 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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