CSD17556Q5B vs CSD17579Q5A

Cette comparaison détaillée des composants CSD17556Q5B et CSD17579Q5A vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification CSD17556Q5B CSD17579Q5A
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 34A (Ta), 100A (Tc) 25A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.4mOhm @ 40A, 10V 9.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.65V @ 250µA 2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V 15.1 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7020 pF @ 15 V 1030 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 191W (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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