CSD17556Q5B vs CSD17308Q3

Cette comparaison détaillée des composants CSD17556Q5B et CSD17308Q3 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification CSD17556Q5B CSD17308Q3
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 34A (Ta), 100A (Tc) 14A (Ta), 44A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.4mOhm @ 40A, 10V 10.3mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.65V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V 5.1 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V +10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7020 pF @ 15 V 700 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 191W (Tc) 2.7W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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