CSD17575Q3 vs CSD17573Q5B
Cette comparaison détaillée des composants CSD17573Q5B et CSD17575Q3 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
TDFN-8
TDFN-8
Description
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
100A (Ta)
60A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
1mOhm @ 35A, 10V
2.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1.8V @ 250µA
1.8V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
64 nC @ 4.5 V
30 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
9000 pF @ 15 V
4420 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
3.2W (Ta), 195W (Tc)
2.8W (Ta), 108W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
