CSD17576Q5B vs CSD17573Q5B

Cette comparaison détaillée des composants CSD17576Q5B et CSD17573Q5B vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification CSD17576Q5B CSD17573Q5B
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 100A (Ta) 100A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2mOhm @ 25A, 10V 1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 64 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4430 pF @ 15 V 9000 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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