C3M0075120K vs C3M0065100K

Cette comparaison détaillée des composants C3M0075120K et C3M0065100K vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

C3M0075120K

Wolfspeed, société par actions limitée.

Lifecycle: Active
Stock: 2764 PCS
Package: TO-247-4
Series: Transistors - FET, MOSFET - simples

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Part B

C3M0065100K

Wolfspeed, société par actions limitée.

Lifecycle: Active
Stock: 1451 PCS
Package: TO-247-4
Series: Transistors - FET, MOSFET - simples

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Full specification comparison

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Specification	C3M0075120K	C3M0065100K
Series	C3M™	C3M™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V	1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	30A (Tc)	35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	15V	15V
Rds On(Max) @ Id Vgs	90mOhm @ 20A, 15V	78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 5mA	3.5V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	51 nC @ 15 V	35 nC @ 15 V
Vgs(Max)	+19V, -8V	+19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1350 pF @ 1000 V	660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max)	113.6W (Tc)	113.5W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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