C3M0015065K vs C3M0065090J

Cette comparaison détaillée des composants C3M0015065K et C3M0065090J vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

C3M0015065K

Wolfspeed, société par actions limitée.

Lifecycle: Active
Stock: 3537 PCS
Package: TO-247-4
Series: Transistors - FET, MOSFET - simples

+Nomenclature Demande de devis

Part B

C3M0065090J

Wolfspeed, société par actions limitée.

Lifecycle: Active
Stock: 6149 PCS
Package: TO-263-7
Series: Transistors - FET, MOSFET - simples

+Nomenclature Demande de devis

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Demande de devis Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	C3M0015065K	C3M0065090J
Series	C3M™	C3M™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V	900 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	120A (Tc)	35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	15V	15V
Rds On(Max) @ Id Vgs	21mOhm @ 55.8A, 15V	78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id	3.6V @ 15.5mA	2.1V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	188 nC @ 15 V	30 nC @ 15 V
Vgs(Max)	+15V, -4V	+19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	5011 pF @ 400 V	660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max)	416W (Tc)	113W (Tc)
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Surface Mount

Compare Demande de devis