C3M0040120K vs C3M0015065K

Cette comparaison détaillée des composants C3M0040120K et C3M0015065K vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification C3M0040120K C3M0015065K
Series C3M™ C3M™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V 650 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 66A (Tc) 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 15V 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 53.5mOhm @ 33.3A, 15V 21mOhm @ 55.8A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.6V @ 9.2mA 3.6V @ 15.5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 99 nC @ 15 V 188 nC @ 15 V
Vgs(Max) +15V, -4V +15V, -4V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2900 pF @ 1000 V 5011 pF @ 400 V
Power Dissipation (Max) 326W (Tc) 416W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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