BYG10M-E3/TR vs BYG10D-CT

Cette comparaison détaillée des composants BYG10M-E3/TR et BYG10D-CT vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BYG10M-E3/TR

Vishay Universal Semiconductor - Division diodes

Lifecycle: Active
Stock: 4670 PCS
Package: DO-214AC
Series: Diodes - redresseurs - Single

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Part B

BYG10D-CT

Diotec semiconducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 3787 PCS
Package: DO-214AC
Series: Diodes - redresseurs - Single

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Full specification comparison

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Specification	BYG10M-E3/TR	BYG10D-CT
Supplier	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	DComponents
Part Status	Active	Active
Diode Type	Avalanche	Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1000 V	200 V
Current - Average Rectified(Io)	1.5A	1.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.15 V @ 1.5 A	1.15 V @ 1.5 A
Speed	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	4 µs	1.5 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr	1 µA @ 1000 V	5 µA @ 200 V
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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