BYG10M-E3/TR vs BYG10D Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants BYG10M-E3/TR et BYG10D vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
BYG10M-E3/TR

+Nomenclature

4670 PCS | Vishay Universal Semiconductor - Division diodes
BYG10D

+Nomenclature

2111 PCS | Diotec semiconducteurs
Package DO-214AC DO-214AC
Description DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A ST Rect, 200V, 1.5A
Supplier Vishay General Semiconductor - Diodes Division DComponents
Part Status Active Active
Diode Type Avalanche Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000 V 200 V
Current - Average Rectified(Io) 1.5A 1.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 4 µs 1.5 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 µA @ 1000 V 5 µA @ 200 V
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : BYG10M-E3/TR BYG10D

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