BSS84LT1G vs BSS84V-7-79

Cette comparaison détaillée des composants BSS84LT1G et BSS84V-7-79 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification BSS84LT1G BSS84V-7-79
Supplier - Diodes Incorporated
Part Status Active Obsolete
FET Type P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FET Feature - Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V 50V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 130mA (Ta) 130mA (Ta)
Rds On(Max) @ Id Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 1mA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 30 pF @ 5 V 45pF @ 25V
Power - Max - 150mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta) -
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