BC857BLT1G vs BC857BS

Cette comparaison détaillée des composants BC857BLT1G et BC857BS vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

BC857BS

Yangzhou yangjie Electronic Technology Co., Ltd

Lifecycle
Active
Stock
1435 PCS
Package
SOT-363
Series
Matrice de transistors bipolaires (BJT)

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BC857BLT1G BC857BS
Part Status Active Active
Transistor Type PNP 2 PNP (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 650mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V
Power - Max 300 mW 300mW
Frequency - Transition 100MHz 200MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount