BC857BLT1G vs BC857CDW1T1

Cette comparaison détaillée des composants BC857BLT1G et BC857CDW1T1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification BC857BLT1G BC857CDW1T1
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP 2 PNP (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 220 @ 2mA, 5V 420 @ 2mA, 5V
Power - Max 300 mW 380mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount