BC857BDW1T1G vs BC857S

Cette comparaison détaillée des composants BC857BDW1T1G et BC857S vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC857BDW1T1G

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 6653 PCS
Package: SC-70
Series: Matrice de transistors bipolaires (BJT)

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Part B

BC857S

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 7134 PCS
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

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Full specification comparison

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Specification	BC857BDW1T1G	BC857S
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Series	-	Bulk
Transistor Type	2 PNP (Dual)	Active
Part Status	Active	-
Current - Collector(Ic)(Max)	100mA	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45V	-
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	650mV @ 5mA, 100mA	-
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	220 @ 2mA, 5V	-
Power - Max	380mW	-
Frequency - Transition	100MHz	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
Mounting Type	Surface Mount	-

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