BC857BDW1T1G vs BC857BDW1T1

Cette comparaison détaillée des composants BC857BDW1T1G et BC857BDW1T1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC857BDW1T1G

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 6653 PCS
Package: SC-70
Series: Matrice de transistors bipolaires (BJT)

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Part B

BC857BDW1T1

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 4123 PCS
Series: Matrice de transistors bipolaires (BJT)

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Full specification comparison

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Specification	BC857BDW1T1G	BC857BDW1T1
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	2 PNP (Dual)	-
Current - Collector(Ic)(Max)	100mA	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45V	-
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	650mV @ 5mA, 100mA	-
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	220 @ 2mA, 5V	-
Power - Max	380mW	-
Frequency - Transition	100MHz	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
Mounting Type	Surface Mount	-

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