BC847BTT1G vs BC847AWT1

Cette comparaison détaillée des composants BC847BTT1G et BC847AWT1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification BC847BTT1G BC847AWT1
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA 250mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V 110 @ 2mA, 5V
Power - Max 225 mW 225 mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) -
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