BC847BTT1G vs BC847AW-QX

Cette comparaison détaillée des composants BC847BTT1G et BC847AW-QX vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification BC847BTT1G BC847AW-QX
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Nexperia USA Inc.
Series - Automotive, AEC-Q101, BC847xW-Q
Part Status Active Active
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V 110 @ 2mA, 5V
Power - Max 225 mW 200 mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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