AUIRS2181STR vs AUIRS20161S

Cette comparaison détaillée des composants AUIRS2181STR et AUIRS20161S vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
AUIRS2181STR

+Nomenclature

5680 PCS | Technologie Infineon
AUIRS20161S

+Nomenclature

7589 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Series - Automotive, AEC-Q100
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge High-Side
ChannelType Independent Single
NumberofDrivers 2 1
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 4.4V ~ 6.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.9A, 2.3A 500mA, 500mA
InputType Inverting Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 150 V
Rise/FallTime(Typ) 15ns, 15ns 200ns, 200ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.5V -
Modèle de comparaison : AUIRS2181STR AUIRS20161S

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