AUIRS2181STR vs AUIRS20161S

Cette comparaison détaillée des composants AUIRS2181STR et AUIRS20161S vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification AUIRS2181STR AUIRS20161S
Series - Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge High-Side
Channel Type Independent Single
Number of Drivers 2 1
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 4.4V ~ 6.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 1.9A, 2.3A 500mA, 500mA
Input Type Inverting Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 150 V
Rise / Fall Time(Typ) 15ns, 15ns 200ns, 200ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V -
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