AUIRFR4615TRL
Technologie Infineon
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 6137 PCS
- Package
- PG-TO-252
- Series
- Transistors - FET, MOSFET - simples
Cette comparaison détaillée des composants AUIRFR4615TRL et AUIRF4905 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.
Technologie Infineon
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| Specification | AUIRFR4615TRL | AUIRF4905 |
|---|---|---|
| Series | HEXFET® | HEXFET® |
| Part Status | Not For New Designs | Active |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V | 55 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 33A (Tc) | 74A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 42mOhm @ 21A, 10V | 20mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5V @ 100µA | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1750 pF @ 50 V | 3400 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 144W (Tc) | 200W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Through Hole |