AUIRF5210S vs AUIRFR4615TRL

Cette comparaison détaillée des composants AUIRF5210S et AUIRFR4615TRL vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification AUIRF5210S AUIRFR4615TRL
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Not For New Designs
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 38A (Tc) 33A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 60mOhm @ 38A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2780 pF @ 25 V 1750 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 170W (Tc) 144W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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