APT30DQ60BG vs APT30GT60BRG

Cette comparaison détaillée des composants APT30DQ60BG et APT30GT60BRG vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification APT30DQ60BG APT30GT60BRG
Supplier - Microchip Technology
Series - Thunderbolt IGBT®
Part Status Active Active
IGBT Type - NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) - 64 A
Current - Collector Pulsed(Icm) - 110 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic - 2.5V @ 15V, 30A
Power - Max - 250 W
Switching Energy - 525µJ (on), 600µJ (off)
Input Type - Standard
Gate Charge - 145 nC
Td(on / off) @ 25°C - 12ns/225ns
Test Condition - 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Diode Type Standard -
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V -
Current - Average Rectified(Io) 30A -
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.4 V @ 30 A -
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Reverse Recovery Time (trr) 30 ns -
Current - Reverse Leakage @ Vr 25 µA @ 600 V -
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