APT30DQ60BG vs APT30GS60KRG Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants APT30DQ60BG et APT30GS60KRG vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-247-2
TO-220-3
Description
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
IGBT 600V 54A 250W TO220
Supplier
-
Microchip Technology
Part Status
Active
Obsolete
IGBT Type
-
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
-
600 V
Current - Collector(Ic)(Max)
-
54 A
Current - Collector Pulsed(Icm)
-
113 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic
-
3.15V @ 15V, 30A
Power - Max
-
250 W
Switching Energy
-
570µJ (off)
Input Type
-
Standard
Gate Charge
-
145 nC
Td(on / off) @ 25°C
-
16ns/360ns
Test Condition
-
400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
Diode Type
Standard
-
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
-
Current - Average Rectified(Io)
30A
-
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
2.4 V @ 30 A
-
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
Reverse Recovery Time (trr)
30 ns
-
Current - Reverse Leakage @ Vr
25 µA @ 600 V
-
