AO6601 vs AO6604_001

Cette comparaison détaillée des composants AO6601 et AO6604_001 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification AO6601 AO6604_001
Supplier - Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Part Status Active Active
FET Type N and P-Channel Complementary N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.4A, 2.3A 3.4A, 2.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 60mOhm @ 3.4A, 10V 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 12nC @ 10V 3.8nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 285pF @ 15V 320pF @ 10V
Power - Max 1.15W 1.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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