AO6601 vs AO6601L

Cette comparaison détaillée des composants AO6601 et AO6601L vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification AO6601 AO6601L
Supplier - Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel Complementary N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.4A, 2.3A 3.4A (Ta), 2.3A (Ta)
Rds On(Max) @ Id Vgs 60mOhm @ 3.4A, 10V 60mOhm @ 3A, 10V, 135mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 12nC @ 10V 4.34nC @ 4.5V, 4.8nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 285pF @ 15V 390pF @ 15V, 409pF @ 15V
Power - Max 1.15W 1.15W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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